ปีนี้สมาร์ทโฟนกำลังเจอปัญหาเรื่องราคาของหน่วยความจำ โดยที่ผู้ผลิตกำลังพยายามรันโมเดล AI ขนาดใหญ่โดยตรงบนอุปกรณ์ และก็โชคดีที่ชิปเซ็ตบนสมาร์ทโฟนสามารถรัน LLM เหล่านี้ได้ในเครื่อง อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยีหน่วยความจำ LPDDR มีข้อจำกัดในเรื่องความเร็วในการส่งข้อมูลไปยังชิปต่างๆ ซึ่งนี่อาจเป็นเหตุผลที่ศูนย์ข้อมูล AI จะหันมาใช้ HBM หรือหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง
ตามรายงานล่าสุดเผยว่ารูปแบบหน่วยความจำใหม่ที่เรียกว่า LLW (Low Latency Wide) DRAM กำลังได้รับการพัฒนาขึ้นเพื่อแก้ไขปัญหาดังกล่าวโดยเฉพาะ
สำหรับ LLW ได้รับแรงบันดาลใจจาก HBM ซึ่งมีความสำเร็จในการทำความเร็วสูงโดยการวางเลเยอร์หน่วยความจำหลายชั้นไว้ใกล้กับชิปเซ็ตและเชื่อมต่อเข้าด้วยกันผ่านอินเทอร์เฟซที่กว้างมาก ผลลัพธ์ที่ได้คือแบนด์วิดท์ที่สูงขึ้นอย่างมาก เร็วกว่าหน่วยความจำ LPPDR ที่ดีที่สุดในปัจจุบันถึง 10 – 15 เท่าเลยทีเดียว
อย่างไรก็ตาม HBM ยังต้องการบรรจุภัณฑ์และระบบระบายความร้อนที่ซับซ้อน ซึ่งไม่เหมาะสมสำหรับสมาร์ทโฟน และคาดว่า LLW จะเข้ามาแก้ปัญหานี้ได้ โดยให้แบนด์วิดท์ที่มากกว่าและความหน่วงที่ต่ำกว่าหน่วยความจำ LPDDR แบบดั้งเดิม โดยไม่ก่อให้เกิดข้อจำกัดด้านความร้อนและพื้นที่ที่มาจากการออกแบบหน่วยความจำแบบเรียงซ้อน
นอกจากนี้ ข้อมูลที่หลุดจาก Fixed Focus Digital จอมแม่นในจีนระบุว่า LLW อาจลดการใช้พลังงานลงได้ประมาณ 50% ขณะที่เพิ่มประสิทธิภาพได้ประมาณ 1.5 เท่าส่วนเรื่องความพร้อมใช้งานอาจยังต้องใช้เวลาอีกหลายปีกว่าจะได้รับการใช้งานอย่างแพร่หลาย โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เราอาจจะได้เห็นการใช้งานในวงกว้างมากขึ้นในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 โดยมีแบรนด์อย่าง Xiaomi และ HUAWEI อาจเป็นผู้นำไปใช้งานก่อน แต่ทั้ง 2 บริษัทก็ยังไม่ได้ออกมาพูดถึงเทคโนโลยีนี้อย่างเป็นทางการครับ
ที่มา : Gizmochina, AnTuTu