Samsung เตรียมผลิต RAM LPDDR6 พร้อมรับการเปิดตัวของชิป Snapdragon 8 Gen 4

หลังจากที่ Qualcomm ประกาศยืนยันการเปิดตัวหน่วยประมวลผลเรือธงของบริษัทอย่าง Snapdragon 8 Gen 4 ในเดือนตุลาคมนี้ ก็มีรายงานออกมาว่าทาง Samsung และ SK Hynix ได้ทำงานร่วมกันในการสร้าง RAM แบบ LPDDR6 แบบใหม่ขึ้นมาให้เร็วที่สุดเท่าที่เป็นได้ครับ

แหล่งข่าววงในจากเกาหลีใต้เผยว่าพร้อมที่จะเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำเมื่อมาตรฐานได้รับการอนุมัติจาก JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) โดยการคาดการณ์การผลิตคตาดว่าจะอยู่ในช่วงครึ่งปีหลังนี้ โดย Samsung ต้องการเตรียมชิปหน่วยความจำใหม่นี้เพื่อใช้ในสมาร์ทโฟนที่ใช้ชิป Snapdragon 8 Gen 4 เพราะโมเดล Generative AI อาจมีค่าพารามิเตอร์มากกว่า 10 พันล้าน

เมื่อย้อนมาดูฝั่งชิป 8 Gen 3 ที่มี NPU ที่รองรับ Generative AI มาพร้อมกับ 1 พันล้านพารามิเตอร์ และหากจะมากกว่านั้น AIO จะสามารถเข้าใจถึงการสร้างวิดีโอที่ดีขึ้น และสามารถสร้างอัลกอริธึมการเขียนโปรแกรมที่แม่นยำยิ่งขึ้น ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพโดยรวมของสมาร์ทโฟนได้ครับ

อย่างไรก็ตามแผนงานของ LPDDR6 ยังคงไม่ชัดเจนในตอนนี้ โดยเฉพาะในเรื่องของแบนด์วิธและปริมาณแบนด์วิธที่จะถูกจัดสรรให้กับกระบวนการของ AI แถมตอนนี้ Samsung ก็ยังมุ่งเน้นไปที่การปรับปรุง LPDDR5 (เป็น 5X และ 5T) ที่มีราคาต่ำกว่าเดิมด้วย

แต่หากแผนการของ LPDDR6 นั้นเป็นไปตามคาดในช่วงครึ่งหลังของปีและพร้อมใช้ในสมาร์ทโฟนชิป Snapdragon 8 Gen 4 ก็ยิ่งทำให้มีความเร็วในการประมวลผล AI และตัวเครื่องเร็วขึ้นมากๆ ครับ

ที่มา : GSMArena, AJUNews