Samsung วางแผนสร้างหน่วยความจำ Super Fast ในปี 2019 และแรมที่เร็วที่สุดในปี 2020

เวลาเป็นสิ่งที่ไม่เดินย้อนกลับมีแต่จะเดินไปข้างหน้าอย่างเดียว เฉกเช่นเทคโนโลยีที่มีการพัฒนาอย่างต่อเนื่องและเชื่อว่าทุกคนรู้ดีในอนาคตเราจะพบกับเทคโนโลยีใหม่ๆ ที่น่าเหลือเชื่อและไม่คิดว่ามันจะเกิดขึ้นในโลกแห่งความเป็นจริงได้ ซึ่งในปัจจุบันเทคโนโลยีที่เกี่ยวกับสมาร์ทโฟนได้มีการพัฒนาอย่างก้าวกระโดด ซึ่งเทคโนโลยีใหม่ในปีนี้ต้องยกให้กับชิปเซ็ตที่ผลิตจากสถาปัตยกรรม 7 นาโนเมตรซึ่งทาง Apple และ Huawei ได้เปิดตัวชิปเซ็ตรุ่นนี้แล้ว

ในด้านของการสื่อสารทาง Qualcomm เองก็มุ่งเน้นพัฒนาชิปเซ็ตของตัวเองให้ก้าวสู่เครือข่าย 5G ซึ่งได้ประกาศความพร้อมในงานเทคโนโลยีที่จัดขึ้นที่ประเทศฮ่องกง ในงานเดียวกันนี้ทาง Samsung ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำภายในและแรม เป็นอันดับต้นๆ ของวงการก็มาพูดถึงเป้าหมายที่ทาง Samsung ได้วางไว้เช่นกัน

หัวหน้าฝ่ายวางแผนที่เกี่ยวกับอุปกรณ์หน่วยความจำภายในและแรมของ Samsung ได้กล่าวว่าหน่วยความจำภายในรุ่นถัดไปเราจะเรียกว่า UFS 3.0 ซึ่งมันจะเกิดขึ้นจริงในปี 2019 ซึ่งความพิเศษของหน่วยความจำรูปแบบใหม่นี้ก็คือความเร็วในการเขียนและอ่านข้อมูลในความเร็วที่สูงสุด ทำให้สมาร์ทโฟนของคุณตอบสนองการทำงานต่างๆ ได้เร็วขึ้น UFS 3.0 นี้ผลิตขึ้นจากเทคโนโลยี 3D NAND รุ่นล่าสุดของ Samsung ซึ่งจะช่วยให้เพิ่มพื้นที่ในการจัดเก็บให้มากขึ้น แต่ขนาดของอุปกรณ์ยังเท่าเดิม ซึ่งขนาดของหน่วยความจำภายในที่จะเปิดตัวใหม่นี้จะมีขนาด 128GB, 256GB และ 512GB และสำหรับแรมขนาด 1TB คาดว่าน่าจะเปิดตัวได้ในปี 2021 เพื่อรองรับเทคโนโลยีการบันทึกวิดีโอความละเอียดสูง 5G และความละเอียดสูง FPS

และความคืบหน้าอีกอย่างที่ Samsung ได้มาบอกให้ฟังในงานนี้ก็คือแรมที่จะเปิดตัวรูปแบบใหม่ในปี 2020 ด้วยรูปแบบ LPDDR5 แรมรุ่นใหม่นี้จะมี bandwidth ที่สูงขึ้นถึง 51.2GB/s ในปัจจุบันมี bandwidth เพียง 25GB/s ซึ่งมีประสิทธิภาพในการทำงานเพิ่มขึ้นถึง 20% เมื่อเทียบกับแรมรุ่น LPDD4 ที่เปิดตัวในปี 2014

เชื่อว่าในช่วงกลางปีหน้าเราคงได้เห็นสมาร์ทโฟนของทาง Samsung ที่ใช้หน่วยความจำภายในแบบใหม่ UFS 3.0 มีความเป็นไปได้สูงมากที่หน่วยความจำภายในรุ่นใหม่จะใช้งานกับ Samsung Galaxy Note10

ที่มา phonearena